一、產(chǎn)品名稱概述：納米銀填充導電漿料研磨分散機,納米銀填充導電漿料分散機,納米銀導電漿料研磨分散機,納米銀導電漿料分散機

二、納米銀填充導電漿料的發(fā)展

導電漿料是發(fā)展電子元器件的基礎(chǔ)及封裝、電極和互聯(lián)的關(guān)鍵材料。隨著電子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向發(fā)展，國內(nèi)外正在開展金屬導電填料納米化研究。其中，納米銀填充導電漿料備受關(guān)注。一般認為納米銀填充到基體中，由于粒子間的接觸點面積小，填料粒子數(shù)目增多導致接觸電阻增加。只有當納米銀間距離在一定范圍內(nèi)時，由于隧道效應等使導電性增強，這主要與其顆粒大小和形貌、表面性質(zhì)和燒結(jié)行為等密切相關(guān)。

導電漿料一般由2-3個基體部分組成，即導電相（金、銀、銅等）、有機載體（有機樹脂和溶劑）和粘結(jié)劑（硅酸鹽玻璃等）。

三、納米銀導電漿料簡介

銀具有較高的導電率、優(yōu)異的物理化學性能、可接受的價格及其氧化物也具有導電性能等特點廣泛用于導電填料。目前導電銀漿中的導電相主要是微米或亞微米銀粉，這些漿料已不能滿足低溫燒結(jié)和多層布線等新技術(shù)的要求。

由于納米銀的表面效應、小尺寸效應等，以納米銀作為導電填料可以提高導電和導熱性；減少銀用量，降低生產(chǎn)成本；降低固化溫度，使銀漿可以應用在PET模塊、柔性基板等；改善導電膠剪切強度等。除具有上述明顯的優(yōu)點外，也存在諸如漿料分散穩(wěn)定性較差，放置后極易出現(xiàn)納米銀的團聚和沉降，導電性能不穩(wěn)定和適用期短等問題。

四、納米銀填充導電漿料的制備方法

納米銀填充導電漿料的制備方法與微米銀漿料的制備方法相似，主要是將市售或自制的納米銀以干粉或液態(tài)形式，單一或與微米銀片混合，通過機械攪拌、高速剪切、超聲分散、高能球磨等方式分散到有機載體中。目前較為合適的為高速剪切的方式，主要優(yōu)勢為漿料適用性高、產(chǎn)量高、效率高。特別推薦SID希德機械XMD2000系列研磨分散機，轉(zhuǎn)速高達18000rpm，先研磨后分散，解決團聚問題，還原納米粒徑，得到多家廠家的認可和信任。

五、XMD2000系列研磨分散機特點

　　1、接觸過SID上海思峻的人都知道，SID膠體磨和SID分散機在行業(yè)就是較的設(shè)備，SID膠體磨和國內(nèi)膠體磨相比、SID分散機和國內(nèi)分散機相比都是存在巨大優(yōu)勢的，而SID研磨分散機又是將二者結(jié)合的設(shè)備，處理效果，不言而喻。SGN研磨分散機轉(zhuǎn)速可達14000rpm，是傳統(tǒng)分散機的4-5倍。

　　2、國內(nèi)分散機的結(jié)構(gòu)大都都是直連電機，分散機的主軸和電機直連，電機就決定了主軸的轉(zhuǎn)速。而進口分散機采用分體式結(jié)構(gòu)，通過皮帶進行變速，國產(chǎn)設(shè)備由于結(jié)構(gòu)的設(shè)計缺失、機械密封技術(shù)的不足的原因，以及改進后成本大幅度的提高問題，一直無法實現(xiàn)高速分散機的自主研發(fā)和生產(chǎn)。

　　3、SID高速剪切研磨分散機有很高的線速度，以及一級磨頭，特殊上深下淺的三層磨頭結(jié)構(gòu)，一次處理即可滿足細化要求。一級刀頭形狀，可以把相對大塊的物料進行初步粉碎，以便能順利通過更細的兩級進行細微化研磨。磨頭齒列深度為從開始的 2.7mm 到末端的0.7mm，除了更精密之外，上深下淺的齒列結(jié)構(gòu)，相較溝槽是直線，同級的溝槽深度一樣的磨頭，可以保證物料從上往下一直在進行研磨。雖和其它產(chǎn)品一樣磨頭采用三層磨齒，但他們只能在一級磨頭到另外一級磨頭形成研磨效果。二級分散盤，無論是在分散盤的結(jié)構(gòu)、還是定轉(zhuǎn)子的間隙都有比其他分散盤要精密的多。

六、納米銀導電漿料研磨分散機參數(shù)表

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